このページの本文へ移動
ページの先頭です
以下、ナビゲーションになります
以下、本文になります

第13回 おおた研究・開発フェアに出展します -10月26・27日開催-

'23年9月12日 更新

本学より、第13回おおた研究・開発フェア(外部サイト)にて、研究成果のブース出展を行います。


展示シーズ

「伸長流動により低温でかつ高分散な
 ナノコンポジットの均一分散混練を実現した革新的混練セグメントを開発」
理工学部 機械理工学科 教授 田中 達也

二軸混練押出機のフィラーおよびアロイの混練には従来からニーディングディスクが用いられてきた.フィラーの高分散を達成しようとすればするほど高温練りとなり樹脂劣化を伴うことになった.特にナノコンポジットの混練においては顕著であり,近年では高速せん断混練技術でこの問題を解決しようとする試みがなされている.一方,我々が発明し開発した伸張流動を活用した革新的混練技術は,溶融樹脂が貫通孔を通過する際に大きな圧力損失を生じることによって,高い伸長応力が樹脂に作用する.その結果,高分散なフィラーおよびアロイのコンポジットが製造される.この技術は,如何にして大きな圧力損失を作用できるかであり,セグメントの形状に関しては穴径サイズや穴個数に依存する.混練の操作条件としては,スクリュ回転,処理量によって圧力損失が変わる.大きな圧力損失を生じさせるには,低温(高粘度)大きな処理量が効果的である.即ち,低温練りで小さなエネルギーでの混練となるため,従来混練とは全く異なる低温練りでかつフィラーおよびアロイの高分散のコンポジットの製造が実現する.



おおた研究・開発フェア(外部サイト)は、
開発した技術の用途開発や共同研究先を探す「出展者」と技術革新を目指す「来場者」との出会いの場です。
「産学連携」「技術移転」「新製品・新技術のPR」に向けて是非ご来場(リアル・オンライン)ください。
logo

本学より、第13回おおた研究・開発フェア(外部サイト)にて、研究成果のブース出展を行います。


展示シーズ

「伸長流動により低温でかつ高分散な
 ナノコンポジットの均一分散混練を実現した革新的混練セグメントを開発」
理工学部 機械理工学科 教授 田中 達也

二軸混練押出機のフィラーおよびアロイの混練には従来からニーディングディスクが用いられてきた.フィラーの高分散を達成しようとすればするほど高温練りとなり樹脂劣化を伴うことになった.特にナノコンポジットの混練においては顕著であり,近年では高速せん断混練技術でこの問題を解決しようとする試みがなされている.一方,我々が発明し開発した伸張流動を活用した革新的混練技術は,溶融樹脂が貫通孔を通過する際に大きな圧力損失を生じることによって,高い伸長応力が樹脂に作用する.その結果,高分散なフィラーおよびアロイのコンポジットが製造される.この技術は,如何にして大きな圧力損失を作用できるかであり,セグメントの形状に関しては穴径サイズや穴個数に依存する.混練の操作条件としては,スクリュ回転,処理量によって圧力損失が変わる.大きな圧力損失を生じさせるには,低温(高粘度)大きな処理量が効果的である.即ち,低温練りで小さなエネルギーでの混練となるため,従来混練とは全く異なる低温練りでかつフィラーおよびアロイの高分散のコンポジットの製造が実現する.



おおた研究・開発フェア(外部サイト)は、
開発した技術の用途開発や共同研究先を探す「出展者」と技術革新を目指す「来場者」との出会いの場です。
「産学連携」「技術移転」「新製品・新技術のPR」に向けて是非ご来場(リアル・オンライン)ください。
開催日
2023年10月26日(木)~10月27日(金)
10:00~17:00
開催場所
学外
コングレスクエア羽田(東京都大田区羽田空港一丁目1番4号)
費用
  • 無料
参加申込
  • 要申込
来場事前登録(外部サイト)
申し込み完了後に、詳細メールが送られてきます。
お問い合わせ先
リエゾンオフィス(研究開発推進課-京田辺)
TEL:0774-65-6223
FAX:0774-65-6773
E-mail:jt-liais@mail.doshisha.ac.jp
備考
【主催】大田区・(公財)大田区産業振興協会